PBSS5320T,215, PBSS5320T,215 PNP Transistor, -2 A, -20 V, 3-Pin SOT-23
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:PBSS5320T,215
Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Bipolar TransistorsA range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage PNP Bipolar Junction Transistors.
Дата загрузки
21.02.2024
Вес и габариты
вес, г
2
Информация о производителе
Производитель
Nexperia B.V.
Бренд
Nexperia B.V.
Основные
collector-emitter breakdown voltage
20V
категория
Электронные компоненты/Транзисторы
maximum collector base voltage
20 V
maximum collector emitter voltage
-20 V
maximum dc collector current
-2 A
maximum emitter base voltage
5 V
maximum operating frequency
100 MHz
maximum operating temperature
+150 °C
maximum power dissipation
1.2 W
minimum dc current gain
220
mounting type
Surface Mount
number of elements per chip
1
package type
SOT-23(TO-236AB)
партномер
8010469124
pd - power dissipation
540mW
pin count
3
transistor configuration
Single
transistor type
PNP
Время загрузки
14:25:36
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26