Name: PBSS5260PAP,115, 100nA 60V 2W 75@2A,2V 2A 100MHz 365mV@2A,200mA 2PCSPNP +150°C@(Tj) SOT-1118 BIpolar TransIstors - BJT ROHS
Brand: Nexperia B.V.
SKU: PBSS5260PAP,115

PBSS5260PAP,115, 100nA 60V 2W 75@2A,2V 2A 100MHz 365mV@2A,200mA 2PCSPNP +150°C@(Tj) SOT-1118 BIpolar TransIstors - BJT ROHS

Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Nexperia PBSS5260PAP,115, 100nA 60V 2W 75@2A,2V 2A ...

Подробное описание

Дата загрузки	22.02.2024
Вес и габариты
вес, г	0.03
Информация о производителе
Производитель	Nexperia B.V.
Бренд	Nexperia B.V.

Все характеристики

210 ₽

– +

Бонус: 4.2 !

Бонусная программа

Итого: 210 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Low VCEsat (BISS) TransistorsNexperia Low V CEsat (BISS) Transistors offer a dual load switch using double RETs and double BISS transistors. Nexperia Low V CEsat (BISS) Transistors keep power consumption and heat dissipation to a minimum, delivering low power consumption and high collector current capability by utilizing innovative mesh-emitter technology.

Дата загрузки	22.02.2024
Вес и габариты
вес, г	0.03
Информация о производителе
Производитель	Nexperia B.V.
Бренд	Nexperia B.V.
Основные
automotive	Yes
collector- base voltage vcbo:	60 V
collector-emitter saturation voltage:	100 mV
collector- emitter voltage vceo max:	60 V
configuration	Dual Dual Collector
configuration:	Dual
continuous collector current:	-2 A
dc collector/base gain hfe min:	170
dc current gain hfe max:	250
eccn (us)	EAR99
emitter- base voltage vebo:	7 V
eu rohs	Compliant
factory pack quantity: factory pack quantity:	3000
gain bandwidth product ft:	100 MHz
категория	Электронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:	Nexperia
maximum base emitter saturation voltage (v)	1@50mA@500mA\|1@50mA@1A\|1.2@200mA@2A
maximum collector base voltage (v)	60
maximum collector cut-off current (na)	100
maximum collector-emitter saturation voltage (v)	0.14@50mA@500mA\|0.31@50mA@1A\|0.5@200mA@2A
maximum collector-emitter voltage (v)	60
maximum dc collector current:	2 A
maximum dc collector current (a)	2
maximum emitter base voltage (v)	7
maximum operating temperature:	+150 C
maximum operating temperature (°c)	150
maximum power dissipation (mw)	2000
maximum transition frequency (mhz)	100(Typ)
minimum dc current gain	170@100mA@2V\|140@500mA@2V\|110@1A@2V\|50@2A@2V
minimum operating temperature:	-55 C
minimum operating temperature (°c)	-55
mounting	Surface Mount
mounting style:	SMD/SMT
number of elements per chip	2
package/case:	DFN2020-6
packaging	Tape and Reel
партномер	8017633304
part # aliases:	9,34067E+11
part status	Active
pcb changed	6
pd - power dissipation:	2 W
pin count	6
ppap	Unknown
product category	Bipolar Small Signal
product category:	Bipolar Transistors-BJT
product type:	BJTs-Bipolar Transistors
qualification:	AEC-Q101
subcategory:	Transistors
supplier package	HUSON EP
supplier temperature grade	Automotive
technology:	Si
transistor polarity:	PNP
type	PNP
Время загрузки	1:09:45

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

Теги:

Nexperia B.V.115 Транзисторы биполярные (BJTs)PBSS5260PAP