PBSS5240XF

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT TRANS BIPOLAR
Вес и габариты
base product numberPBSS5240 ->
collector- base voltage vcbo-40 V
collector-emitter saturation voltage-630 mV
29
+
Бонус: 0.58 !
Бонусная программа
Итого: 29
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT TRANS BIPOLAR
Вес и габариты
base product numberPBSS5240 ->
collector- base voltage vcbo-40 V
collector-emitter saturation voltage-630 mV
collector- emitter voltage vceo max-40 V
configurationSingle
continuous collector current-2 A
current - collector cutoff (max)100nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)2A
dc collector/base gain hfe min300
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce300 @ 1mA, 5V
другие названия товара №934067253135
eccnEAR99
emitter- base voltage vebo-5 V
factory pack quantity4000
frequency - transition150MHz
gain bandwidth product ft150 MHz
htsus8541.21.0075
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)300
конфигурацияSingle
квалификацияAEC-Q101
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора3 A
manufacturerNexperia
maximum dc collector current-3 A
maximum operating temperature+150 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting styleSMD/SMT
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)40 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.40 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер630 mV
непрерывный коллекторный ток2 A
operating temperature150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-243AA
packagingCut Tape or Reel
pd - power dissipation950 mW
pd - рассеивание мощности950 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
power - max500mW
product categoryBipolar Transistors-BJT
product typeBJTs-Bipolar Transistors
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)150 MHz
qualificationAEC-Q101
размер фабричной упаковки4000
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
subcategoryTransistors
supplier device packageSOT-89
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаNexperia
transistor polarityPNP
transistor typePNP
упаковка / блокSOT-89-3
vce saturation (max) @ ib, ic140mV @ 5mA, 100mA
вес, г0.1305
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)40V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль