PBSS5160U,115, Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 0.7 А, 0.25Вт

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: PBSS5160U,115
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Nexperia PBSS5160U,115, Биполярный транзистор, PNP ...
Nexperia B.V.
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.017
Высота1 mm
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
7
+
Бонус: 0.14 !
Бонусная программа
Итого: 7
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторыБиполярный транзистор, PNP, 60 В, 0.7 А, 0.25Вт
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.017
Высота1 mm
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
БрендNexperia B.V.
Основные
Корпусsot-323
base product numberPBSS5160 ->
current - collector cutoff (max)100nA
current - collector (ic) (max)700mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce150 @ 500mA, 5V
длина2.2 mm
другие названия товара №PBSS5160U T/R
eccnEAR99
frequency - transition185MHz
htsus8541.21.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.200 at 1 mA at 5 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)200
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора2 A
maximum collector base voltage80 V
maximum collector emitter voltage-60 V
maximum dc collector current-1 A
maximum emitter base voltage5 V
maximum operating frequency185 MHz
maximum operating temperature+150 °C
maximum power dissipation415 mW
минимальная рабочая температура65 C
minimum dc current gain200
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)80 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.60 V
непрерывный коллекторный ток700 mA
number of elements per chip1
operating temperature150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseSC-70, SOT-323
package typeUMT
партномер8001916418
pd - рассеивание мощности250 mW
pin count3
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
power - max415mW
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)185 MHz
размер фабричной упаковки3000
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
supplier device packageSOT-323
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаNexperia
transistor configurationSingle
transistor typePNP
упаковка / блокSC-70-3
vce saturation (max) @ ib, ic340mV @ 100mA, 1A
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)60V
Время загрузки14:30:35
Ширина1.35 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль