PBSS5160T,215, 60V 400mW 150@500mA,5V 1A PNP SOT23 Bipolar Transistors BJT ROHS

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: PBSS5160T,215
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Nexperia PBSS5160T,215, 60V 400mW 150@500mA,5V 1A PNP ...
Nexperia B.V.
Дата загрузки21.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
БрендNexperia B.V.
Основные
15
+
Бонус: 0.3 !
Бонусная программа
Итого: 15
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJTTRANSISTOR, PNP, SOT-23; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Transition Frequency ft:220MHz; Power Dissipation Pd:270mW; DC Collector Current:1A; DC Current Gain hFE:350hFE; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018); Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):50V; Continuous Collector Current Ic Max:1A; Current Ic @ Vce Sat:500A; Current Ic Continuous a Max:1A; Current Ic hFE:1mA; Full Power Rating Temperature:25°C; Gain Bandwidth ft Min:150MHz; Gain Bandwidth ft Typ:220MHz; Hfe Min:100; Operating Temperature Min:-65°C; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Power Dissipation Ptot Max:480mW; Voltage Vcbo:80V
Дата загрузки21.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
БрендNexperia B.V.
Основные
collector- base voltage vcbo80 V
collector-emitter breakdown voltage60V
collector- emitter voltage vceo max-60 V
configurationSingle
dc collector/base gain hfe min200
dc current gain hfe max200 at 1 mA at 5 V
emitter- base voltage vebo-5 V
factory pack quantity3000
gain bandwidth product ft220 MHz
height1 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
length3 mm
manufacturerNEXPERIA
maximum dc collector current1A
maximum operating temperature+150 C
minimum operating temperature-65 C
mounting styleSMD/SMT
package / caseSOT-23-3
packagingReel
партномер8003789739
part # aliasesPBSS5160T T/R
pd - power dissipation400mW
product categoryBipolar Transistors-BJT
rohsDetails
transistor polarityPNP
transistor typePNP
Время загрузки14:25:39
width1.4 mm
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль