PBSS5120T,215, Bipolar Transistors - BJT PBSS5120T/SOT23/TO-236AB

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: PBSS5120T,215
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Nexperia PBSS5120T,215, Bipolar Transistors - BJT ...
Nexperia B.V.
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.008
Высота1 mm
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
130
+
Бонус: 2.6 !
Бонусная программа
Итого: 130
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT TRANS BISS TAPE-7
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.008
Высота1 mm
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
БрендNexperia B.V.
Основные
base product numberPBSS5120 ->
current - collector cutoff (max)100nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)1A
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce250 @ 500mA, 2V
длина3 mm
другие названия товара №9,34058E+11
eccnEAR99
frequency - transition100MHz
htsus8541.21.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.300 at 100 mA, 2 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)300
конфигурацияSingle
квалификацияAEC-Q101
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора2 A
минимальная рабочая температура65 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.20 V
непрерывный коллекторный ток1 A
operating temperature150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
партномер8005545625
pd - рассеивание мощности300 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
power - max480mW
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)100 MHz
размер фабричной упаковки3000
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
supplier device packageTO-236AB
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаNexperia
transistor typePNP
упаковка / блокSOT-23-3
vce saturation (max) @ ib, ic250mV @ 50mA, 1A
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)20V
Время загрузки23:03:25
Ширина1.4 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль