PBSS5112PAP,115, Bipolar Transistors - BJT PBSS5112PAP/ SOT1118/HUSON6

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: PBSS5112PAP,115
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Nexperia PBSS5112PAP,115, Bipolar Transistors - BJT ...
Nexperia B.V.
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
БрендNexperia B.V.
170
+
Бонус: 3.4 !
Бонусная программа
Итого: 170
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT 120V 1A PNP/PNP lo VCEsat transistor
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
БрендNexperia B.V.
Основные
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.305
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)190
конфигурацияDual
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора1.5 A
минимальная рабочая температура55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)7 V
напряжение коллектор-база (vcbo)120 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.120 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер150 mV
непрерывный коллекторный ток1 A
партномер8005277154
pd - рассеивание мощности1450 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)100 MHz
размер фабричной упаковки3000
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаNexperia
упаковка / блокDFN2020-6
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки1:08:25
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль