PBSS4350X,115

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Биполярные транзисторы - BJT NPN 50V 3A
Вес и габариты
base product numberPBSS4350 ->
collector-emitter breakdown voltage50V
current - collector cutoff (max)100nA
31
+
Бонус: 0.62 !
Бонусная программа
Итого: 31
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT NPN 50V 3A
Вес и габариты
base product numberPBSS4350 ->
collector-emitter breakdown voltage50V
current - collector cutoff (max)100nA
current - collector (ic) (max)3A
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce300 @ 1A, 2V
длина:4.6 mm
другие названия товара №:934055628115
eccnEAR99
frequency - transition100MHz
htsus8541.29.0075
категория продукта:Биполярные транзисторы - BJT
конфигурация:Single
квалификация:AEC-Q101
максимальная рабочая температура:+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора:3 A
maximum dc collector current3A
минимальная рабочая температура:- 65 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo):5 V
напряжение коллектор-база (vcbo):50 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.:50 V
operating temperature150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-243AA
pd - power dissipation1.6W
pd - рассеивание мощности:1600 mW
подкатегория:Transistors
полярность транзистора:NPN
power - max1.6W
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft):100 MHz
производитель:Nexperia
размер фабричной упаковки:1000
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
ширина:2.6 mm
supplier device packageSOT-89
технология:Si
тип продукта:BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка:Nexperia
transistor typeNPN
упаковка / блок:SOT-89-3
vce saturation (max) @ ib, ic370mV @ 300mA, 3A
вид монтажа:SMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)50V
высота:1.6 mm
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль