PBSS4350X,115, Биполярный транзистор, NPN, 50 В, 3 А, 0.55W

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: PBSS4350X,115
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Nexperia PBSS4350X,115, Биполярный транзистор, NPN ...
Nexperia B.V.
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.097
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
БрендNexperia B.V.
22
+
Бонус: 0.44 !
Бонусная программа
Итого: 22
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторыБиполярный транзистор, NPN, 50 В, 3 А, 0.55W
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.097
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
БрендNexperia B.V.
Основные
КорпусSOT-89-3
base product numberPBSS4350 ->
collector-emitter breakdown voltage50V
current - collector cutoff (max)100nA
current - collector (ic) (max)3A
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce300 @ 1A, 2V
длина:4.6 mm
другие названия товара №:9,34056E+11
eccnEAR99
frequency - transition100MHz
htsus8541.29.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продукта:Биполярные транзисторы - BJT
конфигурация:Single
квалификация:AEC-Q101
максимальная рабочая температура:+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора:3 A
maximum collector base voltage50 V
maximum collector emitter voltage50 V
maximum dc collector current3A
maximum emitter base voltage5 V
maximum operating frequency100 MHz
maximum operating temperature+150 °C
maximum power dissipation1.6 W
минимальная рабочая температура:- 65 C
minimum dc current gain300
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo):5 V
напряжение коллектор-база (vcbo):50 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.:50 V
number of elements per chip1
operating temperature150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-243AA
package typeUPAK
партномер8636306099
pd - power dissipation1.6W
pd - рассеивание мощности:1600 mW
pin count4
подкатегория:Transistors
полярность транзистора:NPN
power - max1.6W
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft):100 MHz
производитель:Nexperia
размер фабричной упаковки:1000
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
ширина:2.6 mm
supplier device packageSOT-89
технология:Si
тип продукта:BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка:Nexperia
transistor configurationSingle
transistor typeNPN
упаковка / блок:SOT-89-3
vce saturation (max) @ ib, ic370mV @ 300mA, 3A
вид монтажа:SMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)50V
Время загрузки14:30:40
высота:1.6 mm
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль