PBSS4260PANP,115

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT 60V 2A NPN/PNP lo VCEsat transistor
Вес и габариты
другие названия товара №934066892115
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.430, 250
150
+
Бонус: 3 !
Бонусная программа
Итого: 150
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT 60V 2A NPN/PNP lo VCEsat transistor
Вес и габариты
другие названия товара №934066892115
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.430, 250
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)290, 170
конфигурацияDual
квалификацияAEC-Q101
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора3 A
минимальная рабочая температура55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)7 V
напряжение коллектор-база (vcbo)60 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.60 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер70 mV, - 100 mV
непрерывный коллекторный ток2 A
pd - рассеивание мощности1450 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN, PNP
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)140 MHz, 100 MHz
размер фабричной упаковки3000
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаNexperia
упаковка / блокDFN2020-6
вес, г0.0072
вид монтажаSMD/SMT
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль