PBSS4260PANP,115, Bipolar Transistors - BJT PBSS4260PANP/ SOT1118/HUSON6

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: PBSS4260PANP,115
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Nexperia PBSS4260PANP,115, Bipolar Transistors - BJT ...
Nexperia B.V.
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.0072
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
БрендNexperia B.V.
180
+
Бонус: 3.6 !
Бонусная программа
Итого: 180
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT 60V 2A NPN/PNP lo VCEsat transistor
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.0072
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
БрендNexperia B.V.
Основные
другие названия товара №9,34067E+11
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.430, 250
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)290, 170
конфигурацияDual
квалификацияAEC-Q101
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора3 A
минимальная рабочая температура55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)7 V
напряжение коллектор-база (vcbo)60 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.60 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер70 mV, - 100 mV
непрерывный коллекторный ток2 A
партномер8005277131
pd - рассеивание мощности1450 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN, PNP
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)140 MHz, 100 MHz
размер фабричной упаковки3000
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаNexperia
упаковка / блокDFN2020-6
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки1:08:31
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль