Дата загрузки | 21.02.2024 |
Вес и габариты | |
вес, г | 1 |
Высота | 1.6 mm |
Высота | 1.6 мм |
Информация о производителе | |
Производитель | NXP Semiconductor |
Бренд | NXP Semiconductor |
Основные | |
base product number | PBSS4250 -> |
collector- base voltage vcbo | 50 V |
collector-emitter breakdown voltage | 50V |
collector- emitter voltage vceo max | 50 V |
configuration | Single |
current - collector cutoff (max) | 100nA |
current - collector (ic) (max) | 2A |
dc collector/base gain hfe min | 300 at 0.1 A at 2 V, 300 at 0.5 A at 2 V, 300 at 1 A at 2 V, 150 at 2 A at 2 V |
dc current gain hfe max | 300 at 0.1 A at 2 V |
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce | 300 @ 1A, 2V |
длина | 4.6 mm |
другие названия товара № | 9,34058E+11 |
eccn | EAR99 |
emitter- base voltage vebo | 5 V |
factory pack quantity | 1000 |
frequency - transition | 100MHz |
gain bandwidth product ft | 100 MHz |
height | 1.6 mm |
htsus | 8541.29.0075 |
категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс. | 300 at 100 mA, 2 V |
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 300 at 100 mA, 2 V, 300 at 500 mA, 2 V, 300 at 1 |
конфигурация | Single |
квалификация | AEC-Q101 |
length | 4.6 mm |
максимальная рабочая температура | + 150 C |
максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
manufacturer | Nexperia |
maximum collector base voltage | 50 V |
maximum collector emitter voltage | 50 V |
maximum dc collector current | 2 A |
maximum emitter base voltage | 5 V |
maximum operating frequency | 100 MHz |
maximum operating temperature | +150 C |
maximum power dissipation | 1 W |
минимальная рабочая температура | 65 C |
minimum dc current gain | 300 |
minimum operating temperature | -65 C |
moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
mounting style | SMD/SMT |
mounting type | Surface Mount |
напряжение эмиттер-база (vebo) | 5 V |
напряжение коллектор-база (vcbo) | 50 V |
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 50 V |
number of elements per chip | 1 |
operating temperature | 150В°C (TJ) |
package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
package / case | SOT-89-3 |
package type | UPAK |
packaging | Reel |
партномер | 8007927124 |
part # aliases | PBSS4250X T/R |
pd - power dissipation | 1000 mW |
pd - рассеивание мощности | 1000 mW |
pin count | 4 |
подкатегория | Transistors |
полярность транзистора | NPN |
power - max | 1W |
product category | Bipolar Transistors-BJT |
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft) | 100 MHz |
размер фабричной упаковки | 1000 |
reach status | REACH Unaffected |
rohs | Details |
rohs status | ROHS3 Compliant |
supplier device package | SOT-89 |
технология | Si |
тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
торговая марка | Nexperia |
transistor configuration | Single |
transistor polarity | NPN |
transistor type | NPN |
unit weight | 0.035274 oz |
упаковка / блок | SOT-89-3 |
vce saturation (max) @ ib, ic | 320mV @ 200mA, 2A |
вид монтажа | SMD/SMT |
voltage - collector emitter breakdown (max) | 50V |
Время загрузки | 1:22:28 |
Ширина | 2.6 мм |
width | 2.6 mm |