PBSS4250X,135, Bipolar Transistors - BJT PBSS4250X/SOT89/MPT3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: PBSS4250X,135
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Nexperia PBSS4250X,135, Bipolar Transistors - BJT ...
Nexperia B.V.
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.0401
Высота1.6 mm
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
130
+
Бонус: 2.6 !
Бонусная программа
Итого: 130
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT NPN 50V 2A
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.0401
Высота1.6 mm
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
БрендNexperia B.V.
Основные
base product numberPBSS4250 ->
current - collector cutoff (max)100nA
current - collector (ic) (max)2A
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce300 @ 1A, 2V
длина4.6 mm
другие названия товара №9,34058E+11
eccnEAR99
frequency - transition100MHz
htsus8541.29.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.300 at 100 mA, 2 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)300
конфигурацияSingle
квалификацияAEC-Q101
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора5 A
минимальная рабочая температура65 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)50 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.50 V
непрерывный коллекторный ток2 A
operating temperature150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-243AA
партномер8005277129
pd - рассеивание мощности550 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power - max1W
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)100 MHz
размер фабричной упаковки4000
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
supplier device packageSOT-89
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаNexperia
transistor typeNPN
упаковка / блокSOT-89-3
vce saturation (max) @ ib, ic320mV @ 200mA, 2A
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)50V
Время загрузки22:57:35
Ширина2.6 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль