PBSS4250X,115, Bipolar Transistors - BJT PBSS4250X/SOT89/MPT3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: PBSS4250X,115
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Nexperia PBSS4250X,115, Bipolar Transistors - BJT ...
Nexperia B.V.
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Высота1.6 mm
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
130
+
Бонус: 2.6 !
Бонусная программа
Итого: 130
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT TRANS BISS TAPE-7
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Высота1.6 mm
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
БрендNexperia B.V.
Основные
base product numberPBSS4250 ->
collector- base voltage vcbo50 V
collector-emitter breakdown voltage50V
collector- emitter voltage vceo max50 V
configurationSingle
current - collector cutoff (max)100nA
current - collector (ic) (max)2A
dc collector/base gain hfe min300 at 0.1 A at 2 V, 300 at 0.5 A at 2 V, 300 at 1 A at 2 V, 150 at 2 A at 2 V
dc current gain hfe max300 at 0.1 A at 2 V
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce300 @ 1A, 2V
длина4.6 mm
другие названия товара №9,34058E+11
eccnEAR99
emitter- base voltage vebo5 V
factory pack quantity1000
frequency - transition100MHz
gain bandwidth product ft100 MHz
height1.6 mm
htsus8541.29.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.300 at 100 mA, 2 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)300 at 100 mA, 2 V, 300 at 500 mA, 2 V, 300 at 1
конфигурацияSingle
квалификацияAEC-Q101
length4.6 mm
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора2 A
manufacturerNEXPERIA
maximum collector base voltage50 V
maximum collector emitter voltage50 V
maximum dc collector current2A
maximum emitter base voltage5 V
maximum operating frequency100 MHz
maximum operating temperature+150 C
maximum power dissipation1 W
минимальная рабочая температура65 C
minimum dc current gain300
minimum operating temperature-65 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting styleSMD/SMT
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)50 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.50 V
number of elements per chip1
operating temperature150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-243AA
package typeUPAK
packagingReel
партномер8005277128
part # aliasesPBSS4250X T/R
pd - power dissipation1W
pd - рассеивание мощности1000 mW
pin count4
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power - max1W
product categoryBipolar Transistors-BJT
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)100 MHz
размер фабричной упаковки1000
reach statusREACH Unaffected
rohsDetails
rohs statusROHS3 Compliant
supplier device packageSOT-89
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаNexperia
transistor configurationSingle
transistor polarityNPN
transistor typeNPN
unit weight0.035274 oz
упаковка / блокSOT-89-3
vce saturation (max) @ ib, ic320mV @ 200mA, 2A
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)50V
Время загрузки23:04:15
Ширина2.6 мм
width2.6 mm
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль