PBSS4160T.215, Транзистор: NPN

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: PBSS4160T,215
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Nexperia PBSS4160T.215, Транзистор: NPN
Nexperia B.V.
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.02
Высота1 mm
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
60
+
Бонус: 1.2 !
Бонусная программа
Итого: 60
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT TRANS BISS TAPE-7
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.02
Высота1 mm
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
БрендNexperia B.V.
Основные
base product numberPBSS4160 ->
collector- base voltage vcbo80 V
collector- emitter voltage vceo max60 V
configurationSingle
continuous collector current1 A
current - collector cutoff (max)100nA
current - collector (ic) (max)1A
dc collector/base gain hfe min250
dc current gain hfe max250 at 1 mA at 5 V
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce200 @ 500mA, 5V
длина3 mm
другие названия товара №PBSS4160T T/R
eccnEAR99
emitter- base voltage vebo5 V
factory pack quantity3000
frequency - transition220MHz
gain bandwidth product ft220 MHz
height1 mm
htsus8541.21.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.250 at 1 mA at 5 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)250
конфигурацияSingle
length3 mm
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора2 A
manufacturerNEXPERIA
maximum collector base voltage80 V
maximum collector emitter voltage60 V
maximum dc collector current2 A
maximum emitter base voltage5 V
maximum operating frequency220 MHz
maximum operating temperature+150 C
maximum power dissipation1.25 W
минимальная рабочая температура65 C
minimum dc current gain250
minimum operating temperature-65 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting styleSMD/SMT
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)80 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.60 V
непрерывный коллекторный ток1 A
number of elements per chip1
operating temperature150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
package typeSOT-23(TO-236AB)
packagingReel
партномер8010822231
part # aliasesPBSS4160T T/R
pd - power dissipation270 mW
pd - рассеивание мощности270 mW
pin count3
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power - max400mW
product categoryBipolar Transistors-BJT
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)220 MHz
размер фабричной упаковки3000
reach statusREACH Unaffected
rohsDetails
rohs statusROHS3 Compliant
supplier device packageTO-236AB
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаNexperia
transistor configurationSingle
transistor polarityNPN
transistor typeNPN
упаковка / блокSOT-23-3
vce saturation (max) @ ib, ic250mV @ 100mA, 1A
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)60V
Время загрузки15:13:40
Ширина1.4 мм
width1.4 mm
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль