Name: PBSS4160DSH, Массив биполярных транзисторов, Двойной NPN, 60 В, 870 мА, 420 мВт, 100 hFE, SC-74
SKU: PBSS4160DSH

Биполярные транзисторы - BJT 1A NPN/NPN Low VCEsat Transistor

Подробное описание

Вес и габариты
другие названия товара №	934058115125
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.	500 at 1 mA, 5 V

87 ₽

– +

Бонус: 1.74 !

Бонусная программа

Итого: 87 ₽

Купить

Биполярные транзисторы - BJT 1A NPN/NPN Low VCEsat Transistor

Вес и габариты
другие названия товара №	934058115125
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.	500 at 1 mA, 5 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	250 at 1 mA, 5 V
конфигурация	Dual
квалификация	AEC-Q101
максимальная рабочая температура	+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора	2 A
минимальная рабочая температура	65 C
напряжение эмиттер-база (vebo)	5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)	80 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	60 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	200 mV
непрерывный коллекторный ток	1 A
pd - рассеивание мощности	700 mW
подкатегория	Transistors
полярность транзистора	NPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)	220 MHz
размер фабричной упаковки	3000
технология	Si
тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка	Nexperia
упаковка / блок	TSOP-6
вес, г	0.01
вид монтажа	SMD/SMT

Отзывов нет

Кнопки