PBSS4160DS,115, Транзистор биполярный (NPN 80В 2A SC-74-6)

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: PBSS4160DS.115
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) NXP PBSS4160DS,115, Транзистор биполярный (NPN ...
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.01
Информация о производителе
ПроизводительNXP Semiconductor
БрендNXP Semiconductor
11
+
Бонус: 0.22 !
Бонусная программа
Итого: 11
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage NPN Bipolar Junction Transistors.
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.01
Информация о производителе
ПроизводительNXP Semiconductor
БрендNXP Semiconductor
Основные
collector- base voltage vcbo:80 V
collector-emitter saturation voltage:200 mV
collector- emitter voltage vceo max:60 V
configuration:Dual
continuous collector current:1 A
emitter- base voltage vebo:5 V
factory pack quantity: factory pack quantity:3000
gain bandwidth product ft:220 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Nexperia
maximum collector base voltage80 V
maximum collector emitter voltage60 V
maximum dc collector current1 A
maximum dc collector current:1 A
maximum emitter base voltage5 V
maximum operating frequency220 MHz
maximum operating temperature+150 °C
maximum operating temperature:+150 C
maximum power dissipation700 mW
minimum dc current gain250
minimum operating temperature:-65 C
mounting style:SMD/SMT
mounting typeSurface Mount
number of elements per chip2
package/case:TSOP-6
package typeTSOP
партномер8022330688
part # aliases:9,34058E+11
pd - power dissipation:700 mW
pin count6
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
qualification:AEC-Q101
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor configurationIsolated
transistor polarity:NPN
transistor typeNPN
Время загрузки1:23:39
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль