Name: PBSS4160DS,115, 100nA 60V 560mW 180@1A,5V 1A 220MHz 200mV@1A,100mA 2 NPN +150°C@(Tj) SOT-457 BIpolar TransIstors - BJT ROHS
Brand: Nexperia B.V.
SKU: PBSS4160DS,115

PBSS4160DS,115, 100nA 60V 560mW 180@1A,5V 1A 220MHz 200mV@1A,100mA 2 NPN +150°C@(Tj) SOT-457 BIpolar TransIstors - BJT ROHS

Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Nexperia PBSS4160DS,115, 100nA 60V 560mW 180@1A,5V 1A ...

Подробное описание

Дата загрузки	21.02.2024
Вес и габариты
вес, г	0.01
Информация о производителе
Производитель	Nexperia B.V.
Бренд	Nexperia B.V.

Все характеристики

52 ₽

– +

Бонус: 1.04 !

Бонусная программа

Итого: 52 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage NPN Bipolar Junction Transistors.

Дата загрузки	21.02.2024
Вес и габариты
вес, г	0.01
Информация о производителе
Производитель	Nexperia B.V.
Бренд	Nexperia B.V.
Основные
collector- base voltage vcbo:	80 V
collector-emitter saturation voltage:	200 mV
collector- emitter voltage vceo max:	60 V
configuration:	Dual
continuous collector current:	1 A
emitter- base voltage vebo:	5 V
factory pack quantity: factory pack quantity:	3000
gain bandwidth product ft:	220 MHz
категория	Электронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:	Nexperia
maximum collector base voltage	80 V
maximum collector emitter voltage	60 V
maximum dc collector current	1 A
maximum dc collector current:	1 A
maximum emitter base voltage	5 V
maximum operating frequency	220 MHz
maximum operating temperature	+150 °C
maximum operating temperature:	+150 C
maximum power dissipation	700 mW
minimum dc current gain	250
minimum operating temperature:	-65 C
mounting style:	SMD/SMT
mounting type	Surface Mount
number of elements per chip	2
package/case:	TSOP-6
package type	TSOP
партномер	8017625615
part # aliases:	9,34058E+11
pd - power dissipation:	700 mW
pin count	6
product category:	Bipolar Transistors-BJT
product type:	BJTs-Bipolar Transistors
qualification:	AEC-Q101
subcategory:	Transistors
technology:	Si
transistor configuration	Isolated
transistor polarity:	NPN
transistor type	NPN
Время загрузки	15:13:40

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

Теги:

Nexperia B.V.115 Транзисторы биполярные (BJTs)PBSS4160DS