Name: PBSS4130PANP,115, Массив биполярных транзисторов, NPN, PNP, 30 В, 1 А, 510 Вт, 180 hFE, DFN2020
SKU: PBSS4130PANP,115

Биполярные транзисторы - BJT 30V 1A NPN/PNP lo VCEsat transistor

Подробное описание

Вес и габариты
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.	370, 350
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	240, 250

98 ₽

– +

Бонус: 1.96 !

Бонусная программа

Итого: 98 ₽

Купить

Биполярные транзисторы - BJT 30V 1A NPN/PNP lo VCEsat transistor

Вес и габариты
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.	370, 350
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	240, 250
конфигурация	Dual
максимальная рабочая температура	+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора	2 A
минимальная рабочая температура	55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)	7 V
напряжение коллектор-база (vcbo)	30 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	30 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	75 mV, - 85 mV
непрерывный коллекторный ток	1 A
pd - рассеивание мощности	1450 mW
подкатегория	Transistors
полярность транзистора	NPN, PNP
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)	165 MHz, 125 MHz
размер фабричной упаковки	3000
тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка	Nexperia
упаковка / блок	DFN2020-6
вес, г	0.01
вид монтажа	SMD/SMT

Отзывов нет

Кнопки