PBSS4130PAN,115, 30V 510mW 210@500mA,2V 1A 2 NPN HUSON6(2x2) Bipolar Transistors BJT ROHS

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: PBSS4130PAN,115
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Nexperia PBSS4130PAN,115, 30V 510mW 210@500mA,2V 1A 2 ...
Nexperia B.V.
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.01
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
БрендNexperia B.V.
65
+
Бонус: 1.3 !
Бонусная программа
Итого: 65
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.01
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
БрендNexperia B.V.
Основные
collector- base voltage vcbo30 V
collector-emitter saturation voltage75 mV
collector- emitter voltage vceo max30 V
configurationDual
continuous collector current1 A
dc collector/base gain hfe min240
dc current gain hfe max370
emitter- base voltage vebo7 V
factory pack quantity3000
gain bandwidth product ft165 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturerNexperia
maximum dc collector current2 A
maximum operating temperature+150 C
minimum operating temperature-55 C
mounting styleSMD/SMT
package / caseDFN-2020-6
packagingCut Tape or Reel
партномер8003785925
pd - power dissipation1450 mW
product categoryBipolar Transistors-BJT
product typeBJTs-Bipolar Transistors
qualificationAEC-Q101
subcategoryTransistors
transistor polarityNPN
Время загрузки15:13:47
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль