PBSS4120T,215, 20V 480mW 300@500mA,2V 1A NPN SOT23 Bipolar Transistors BJT ROHS

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: PBSS4120T,215
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Nexperia PBSS4120T,215, 20V 480mW 300@500mA,2V 1A NPN ...
Nexperia B.V.
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
БрендNexperia B.V.
25
+
Бонус: 0.5 !
Бонусная программа
Итого: 25
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJTБиполярный транзистор, NPN, 20 В, 1 А
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
БрендNexperia B.V.
Основные
collector-emitter breakdown voltage20V
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
maximum collector base voltage30 V
maximum collector emitter voltage20 V
maximum dc collector current1A
maximum emitter base voltage5 V
maximum operating frequency100 MHz
maximum operating temperature+150 °C
maximum power dissipation480 mW
minimum dc current gain350
mounting typeSurface Mount
number of elements per chip1
package typeSOT-23(TO-236AB)
партномер8003791058
pd - power dissipation480mW
pin count3
transistor configurationSingle
transistor typeNPN
Время загрузки14:26:18
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль