PBSS4112PANP,115, Bipolar Transistors - BJT PBSS4112PANP/ SOT1118/HUSON6
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: PBSS4112PANP,115
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT 120V 1A NPN/PNP lo VCEsat transistor
| Дата загрузки | 22.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| вес, г | 1 |
| Информация о производителе | |
| Производитель | Nexperia B.V. |
| Бренд | Nexperia B.V. |
| Основные | |
| base product number | PBSS4112 -> |
| current - collector cutoff (max) | 100nA (ICBO) |
| current - collector (ic) (max) | 1A |
| dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce | 60 @ 500mA, 2V |
| dc ток коллектора | 1а |
| dc усиление тока hfe | 30hFE |
| eccn | EAR99 |
| frequency - transition | 120MHz |
| htsus | 8541.21.0075 |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс. | 305, 375 |
| количество выводов | 6вывод(-ов) |
| коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 240, 190 |
| конфигурация | Dual |
| квалификация | AEC-Q101 |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| максимальный постоянный ток коллектора | 1.5 A |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| монтаж транзистора | Surface Mount |
| mounting type | Surface Mount |
| напряжение эмиттер-база (vebo) | 7 V |
| напряжение коллектор-база (vcbo) | 120 V |
| напряжение коллектор-эмиттер | 120В |
| напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 120 V |
| напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 90 mV, - 150 mV |
| непрерывный коллекторный ток | 1 A |
| operating temperature | 150В°C (TJ) |
| package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| package / case | 6-UDFN Exposed Pad |
| партномер | 8006314432 |
| pd - рассеивание мощности | 1450 mW |
| подкатегория | Transistors |
| полярность транзистора | NPN, PNP |
| power - max | 510mW |
| произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft) | 120 MHz, 100 MHz |
| рассеиваемая мощность | 510мВт |
| размер фабричной упаковки | 3000 |
| reach status | REACH Unaffected |
| rohs status | ROHS3 Compliant |
| стандарты автомобильной промышленности | AEC-Q101 |
| стиль корпуса транзистора | DFN2020 |
| supplier device package | 6-HUSON-EP (2x2) |
| тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| торговая марка | Nexperia |
| transistor type | NPN, PNP |
| упаковка / блок | DFN2020-6 |
| уровень чувствительности к влажности (msl) | MSL 1-Безлимитный |
| vce saturation (max) @ ib, ic | 120mV @ 50mA, 500mA |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| voltage - collector emitter breakdown (max) | 120V |
| Время загрузки | 1:07:31 |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
