PBSS4112PAN,115, 100nA 120V 2W 45@1A,2V 1A 120MHz 170mV@1A,100mA 2 NPN +150°C@(Tj) SOT-1118 BIpolar TransIstors - BJT ROHS

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: PBSS4112PAN,115
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Nexperia PBSS4112PAN,115, 100nA 120V 2W 45@1A,2V 1A ...
Nexperia B.V.
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.03
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
БрендNexperia B.V.
130
+
Бонус: 2.6 !
Бонусная программа
Итого: 130
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT 120V 1A NPN/NPN lo VCEsat transistor
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.03
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
БрендNexperia B.V.
Основные
другие названия товара №9,34067E+11
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.375
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)240
конфигурацияDual
квалификацияAEC-Q101
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора1.5 A
минимальная рабочая температура55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)7 V
напряжение коллектор-база (vcbo)120 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.120 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер90 mV
непрерывный коллекторный ток1 A
партномер8017633286
pd - рассеивание мощности1450 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)120 MHz
размер фабричной упаковки3000
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаNexperia
упаковка / блокDFN2020-6
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки22:59:27
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль