Дата загрузки | 21.02.2024 |
Вес и габариты | |
Высота | 1.7мм |
Высота | 1.7 мм |
Информация о производителе | |
Производитель | Nexperia |
Бренд | NXP Semiconductor |
Основные | |
число контактов | 4 |
collector- base voltage vcbo | 80 V |
collector-emitter saturation voltage | 190 mV |
collector- emitter voltage vceo max | 80 V |
configuration | Single |
dc collector/base gain hfe min | 300 at 0.5 A at 2 V, 250 at 1 A at 2 V, 180 at 2 A at 2 V, 90 at 4 A at 2 V, 50 at 6 A at 2 V |
dc current gain hfe max | 300 at 0.5 A at 2 V |
длина | 6.7мм |
длина: | 6.7 mm |
другие названия товара №: | 9,34059E+11 |
emitter- base voltage vebo | 5 V |
factory pack quantity | 4000 |
gain bandwidth product ft | 110 MHz |
height | 1.7 mm |
категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
категория продукта: | Биполярные транзисторы - BJT |
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.: | 300 at 500 mA, 2 V |
количество элементов на ис | 1 |
конфигурация: | Single |
квалификация: | AEC-Q101 |
length | 6.7 mm |
максимальная рабочая частота | 110 MHz |
максимальная рабочая температура | +150 °C |
максимальная рабочая температура: | + 150 C |
максимальное напряжение эмиттер-база | 5 В |
максимальное напряжение коллектор-база | 80 V |
максимальное напряжение к-э (коллектор-эмиттер) | 80 V |
максимальное напряжение насыщения база-эмиттер | 1.05 V |
максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.34 V |
максимальное рассеяние мощности | 2 Вт |
максимальный постоянный ток коллектора: | 5.1 A |
максимальный пост. ток коллектора | 5,1 А |
manufacturer | NEXPERIA |
maximum dc collector current | 5.1 A |
maximum operating temperature | +150 C |
минимальная рабочая температура | -65 °C |
минимальная рабочая температура: | - 65 C |
минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 50 |
minimum operating temperature | -65 C |
mounting style | SMD/SMT |
напряжение эмиттер-база (vebo): | 5 V |
напряжение коллектор-база (vcbo): | 80 V |
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.: | 80 V |
напряжение насыщения коллектор-эмиттер: | 190 mV |
package / case | SOT-223-4 |
packaging | Reel |
партномер | 8007493608 |
part # aliases | /T3 PBSS305NZ |
pd - power dissipation | 2 W |
pd - рассеивание мощности: | 2 W |
подкатегория: | Transistors |
полярность транзистора: | NPN |
product category | Bipolar Transistors-BJT |
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft): | 110 MHz |
производитель: | Nexperia |
размеры | 1.7 x 6.7 x 3.7мм |
размер фабричной упаковки: | 4000 |
rohs | Details |
ширина: | 3.7 mm |
технология: | Si |
тип корпуса | SOT-223 (SC-73) |
тип монтажа | Поверхностный монтаж |
тип продукта: | BJTs - Bipolar Transistors |
тип транзистора | NPN |
торговая марка: | Nexperia |
transistor configuration | Одинарный |
transistor polarity | NPN |
упаковка / блок: | SOT-223-3 |
вид монтажа: | SMD/SMT |
Время загрузки | 1:22:32 |
высота: | 1.7 mm |
Ширина | 3.7 мм |
width | 3.7 mm |