PBSS305NZ

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) NXP PBSS305NZ
Nexperia
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
Высота1.7мм
Высота 1.7 мм
Информация о производителе
ПроизводительNexperia
210
+
Бонус: 4.2 !
Бонусная программа
Итого: 210
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
ЭлектроэлементTRANS NPN 80V 5.1A SOT-223; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Transition Frequency ft:110MHz; Power Dissipation Pd:700mW; DC Collector Current:5.1A; DC Current Gain hFE:470hFE; Transistor Case Style:SOT-223; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (15-Jan-2018); Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):40mV; Current Ic Continuous a Max:500mA; Gain Bandwidth ft Typ:110MHz; Hfe Min:300; Operating Temperature Min:-65°C; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Termination Type:Surface Mount Device; Transistor Type:Low Saturation (BISS)
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
Высота1.7мм
Высота 1.7 мм
Информация о производителе
ПроизводительNexperia
БрендNXP Semiconductor
Основные
число контактов4
collector- base voltage vcbo80 V
collector-emitter saturation voltage190 mV
collector- emitter voltage vceo max80 V
configurationSingle
dc collector/base gain hfe min300 at 0.5 A at 2 V, 250 at 1 A at 2 V, 180 at 2 A at 2 V, 90 at 4 A at 2 V, 50 at 6 A at 2 V
dc current gain hfe max300 at 0.5 A at 2 V
длина6.7мм
длина:6.7 mm
другие названия товара №:9,34059E+11
emitter- base voltage vebo5 V
factory pack quantity4000
gain bandwidth product ft110 MHz
height1.7 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продукта:Биполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.:300 at 500 mA, 2 V
количество элементов на ис1
конфигурация:Single
квалификация:AEC-Q101
length6.7 mm
максимальная рабочая частота110 MHz
максимальная рабочая температура+150 °C
максимальная рабочая температура:+ 150 C
максимальное напряжение эмиттер-база5 В
максимальное напряжение коллектор-база80 V
максимальное напряжение к-э (коллектор-эмиттер)80 V
максимальное напряжение насыщения база-эмиттер1.05 V
максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.34 V
максимальное рассеяние мощности2 Вт
максимальный постоянный ток коллектора:5.1 A
максимальный пост. ток коллектора5,1 А
manufacturerNEXPERIA
maximum dc collector current5.1 A
maximum operating temperature+150 C
минимальная рабочая температура-65 °C
минимальная рабочая температура:- 65 C
минимальный коэффициент усиления по постоянному току50
minimum operating temperature-65 C
mounting styleSMD/SMT
напряжение эмиттер-база (vebo):5 V
напряжение коллектор-база (vcbo):80 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.:80 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер:190 mV
package / caseSOT-223-4
packagingReel
партномер8007493608
part # aliases/T3 PBSS305NZ
pd - power dissipation2 W
pd - рассеивание мощности:2 W
подкатегория:Transistors
полярность транзистора:NPN
product categoryBipolar Transistors-BJT
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft):110 MHz
производитель:Nexperia
размеры1.7 x 6.7 x 3.7мм
размер фабричной упаковки:4000
rohsDetails
ширина:3.7 mm
технология:Si
тип корпусаSOT-223 (SC-73)
тип монтажаПоверхностный монтаж
тип продукта:BJTs - Bipolar Transistors
тип транзистораNPN
торговая марка:Nexperia
transistor configurationОдинарный
transistor polarityNPN
упаковка / блок:SOT-223-3
вид монтажа:SMD/SMT
Время загрузки1:22:32
высота:1.7 mm
Ширина3.7 мм
width3.7 mm
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль