| Дата загрузки | 21.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| Высота | 1.7мм |
| Высота | 1.7 мм |
| Информация о производителе | |
| Производитель | Nexperia |
| Бренд | NXP Semiconductor |
| Основные | |
| число контактов | 4 |
| collector- base voltage vcbo | 80 V |
| collector-emitter saturation voltage | 190 mV |
| collector- emitter voltage vceo max | 80 V |
| configuration | Single |
| dc collector/base gain hfe min | 300 at 0.5 A at 2 V, 250 at 1 A at 2 V, 180 at 2 A at 2 V, 90 at 4 A at 2 V, 50 at 6 A at 2 V |
| dc current gain hfe max | 300 at 0.5 A at 2 V |
| длина | 6.7мм |
| длина: | 6.7 mm |
| другие названия товара №: | 9,34059E+11 |
| emitter- base voltage vebo | 5 V |
| factory pack quantity | 4000 |
| gain bandwidth product ft | 110 MHz |
| height | 1.7 mm |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| категория продукта: | Биполярные транзисторы - BJT |
| коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.: | 300 at 500 mA, 2 V |
| количество элементов на ис | 1 |
| конфигурация: | Single |
| квалификация: | AEC-Q101 |
| length | 6.7 mm |
| максимальная рабочая частота | 110 MHz |
| максимальная рабочая температура | +150 °C |
| максимальная рабочая температура: | + 150 C |
| максимальное напряжение эмиттер-база | 5 В |
| максимальное напряжение коллектор-база | 80 V |
| максимальное напряжение к-э (коллектор-эмиттер) | 80 V |
| максимальное напряжение насыщения база-эмиттер | 1.05 V |
| максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.34 V |
| максимальное рассеяние мощности | 2 Вт |
| максимальный постоянный ток коллектора: | 5.1 A |
| максимальный пост. ток коллектора | 5,1 А |
| manufacturer | Nexperia |
| maximum dc collector current | 5.1 A |
| maximum operating temperature | +150 C |
| минимальная рабочая температура | -65 °C |
| минимальная рабочая температура: | - 65 C |
| минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 50 |
| minimum operating temperature | -65 C |
| mounting style | SMD/SMT |
| напряжение эмиттер-база (vebo): | 5 V |
| напряжение коллектор-база (vcbo): | 80 V |
| напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.: | 80 V |
| напряжение насыщения коллектор-эмиттер: | 190 mV |
| package / case | SOT-223-4 |
| packaging | Reel |
| партномер | 8007493608 |
| part # aliases | /T3 PBSS305NZ |
| pd - power dissipation | 2 W |
| pd - рассеивание мощности: | 2 W |
| подкатегория: | Transistors |
| полярность транзистора: | NPN |
| product category | Bipolar Transistors-BJT |
| произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft): | 110 MHz |
| производитель: | Nexperia |
| размеры | 1.7 x 6.7 x 3.7мм |
| размер фабричной упаковки: | 4000 |
| rohs | Details |
| ширина: | 3.7 mm |
| технология: | Si |
| тип корпуса | SOT-223 (SC-73) |
| тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| тип продукта: | BJTs - Bipolar Transistors |
| тип транзистора | NPN |
| торговая марка: | Nexperia |
| transistor configuration | Одинарный |
| transistor polarity | NPN |
| упаковка / блок: | SOT-223-3 |
| вид монтажа: | SMD/SMT |
| Время загрузки | 1:22:32 |
| высота: | 1.7 mm |
| Ширина | 3.7 мм |
| width | 3.7 mm |
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
