PBSS303NX,115, Bipolar Transistors - BJT PBSS303NX/SOT89/MPT3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: PBSS303NX,115
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Nexperia PBSS303NX,115, Bipolar Transistors - BJT ...
Nexperia B.V.
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.041
Высота1.6 mm
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
180
+
Бонус: 3.6 !
Бонусная программа
Итого: 180
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT TRANS BISS TAPE-7
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.041
Высота1.6 mm
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
БрендNexperia B.V.
Основные
base product numberPBSS303 ->
current - collector cutoff (max)100nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)5.1A
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce250 @ 2A, 2V
длина4.6 mm
другие названия товара №9,34059E+11
eccnEAR99
frequency - transition130MHz
htsus8541.29.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.300 at 500 mA, 2 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)300 at 500 mA, 2 V, 300 at 1 A, 2 V, 250 at 2 A,
конфигурацияSingle
квалификацияAEC-Q101
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора5.1 A
минимальная рабочая температура65 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)30 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.30 V
operating temperature150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-243AA
партномер8004640165
pd - рассеивание мощности2100 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power - max2.1W
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)130 MHz
размер фабричной упаковки1000
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
supplier device packageSOT-89
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаNexperia
transistor typeNPN
упаковка / блокSOT-89-3
vce saturation (max) @ ib, ic220mV @ 255mA, 5.1A
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)30V
Время загрузки1:07:11
Ширина2.6 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль