PBSS2515YPN,115, Массив биполярных транзисторов, NPN, PNP, 15 В, 500 мА, 200 мВт, 90 hFE, TSSOP
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: PBSS2515YPN,115
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Массивы Транзисторов - BJTБиполярные транзисторы - BJT TRANS BISS TAPE-7
| Вес и габариты | |
| base product number | PBSS2515 -> |
| collector- base voltage vcbo | 15 V |
| collector- emitter voltage vceo max | 15 V |
| configuration | Dual |
| current - collector cutoff (max) | 100nA (ICBO) |
| current - collector (ic) (max) | 500mA |
| dc current gain hfe max | 200 at 10 mA, 2 V |
| dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce | 150 @ 100mA, 2V |
| длина | 2.2 mm |
| другие названия товара № | PBSS2515YPN T/R |
| eccn | EAR99 |
| emitter- base voltage vebo | 6 V |
| factory pack quantity | 3000 |
| frequency - transition | 420MHz, 280MHz |
| gain bandwidth product ft | 420 MHz |
| Высота | 1 мм |
| htsus | 8541.21.0075 |
| категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс. | 200 at 10 mA at 2 V |
| коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 at 10 mA at 2 V, 150 at 100 mA at 2 V, 90 at 5 |
| конфигурация | Dual |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| максимальный постоянный ток коллектора | 0.5 A |
| manufacturer | NEXPERIA |
| maximum dc collector current | 0.5 A |
| maximum operating temperature | +150 C |
| минимальная рабочая температура | 65 C |
| minimum operating temperature | -65 C |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| mounting style | SMD/SMT |
| mounting type | Surface Mount |
| напряжение эмиттер-база (vebo) | 6 V |
| напряжение коллектор-база (vcbo) | 15 V |
| напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 15 V |
| operating temperature | 150В°C (TJ) |
| package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| package / case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| packaging | Cut Tape or Reel |
| part # aliases | PBSS2515YPN T/R |
| pd - power dissipation | 200 mW |
| pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| подкатегория | Transistors |
| полярность транзистора | NPN, PNP |
| power - max | 300mW |
| product category | Bipolar Transistors-BJT |
| product type | BJTs-Bipolar Transistors |
| произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft) | 420 MHz |
| qualification | AEC-Q101 |
| размер фабричной упаковки | 3000 |
| reach status | REACH Unaffected |
| rohs status | ROHS3 Compliant |
| subcategory | Transistors |
| supplier device package | 6-TSSOP |
| тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| торговая марка | Nexperia |
| transistor polarity | NPN, PNP |
| transistor type | NPN, PNP |
| упаковка | Reel |
| упаковка / блок | UMT-3 |
| vce saturation (max) @ ib, ic | 250mV @ 50mA, 500mA |
| вес, г | 0.01 |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| voltage - collector emitter breakdown (max) | 15V |
| Ширина | 1.35 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26