PBRN113ET.215

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) NXP PBRN113ET.215
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.1
Высота 1 мм
Информация о производителе
ПроизводительNXP Semiconductor
15
+
Бонус: 0.3 !
Бонусная программа
Итого: 15
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Транзисторы и сборки биполярныеResistor-equipped bipolar transistors, also known as “Digital Transistors” or “Bias Resistor Transistors”, incorporating one or two integrated resistors.
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.1
Высота 1 мм
Информация о производителе
ПроизводительNXP Semiconductor
БрендNXP Semiconductor
Основные
Корпусto236
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
кол-во в упаковке3000
maximum collector emitter voltage40 V
maximum dc collector current700 mA
maximum emitter base voltage10 V
maximum operating temperature+150 °C
mounting typeSurface Mount
number of elements per chip1
package typeSOT-23(TO-236AB)
партномер8007386345
pin count3
типичный коэффициент резистора1
типичный входной резистор1 кОм
transistor configurationSingle
transistor typeNPN
typical input resistor1 kΩ
typical resistor ratio1
Время загрузки1:23:39
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль