Name: PBHV9115X
Brand: NXP Semiconductor

Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) NXP PBHV9115X

Подробное описание

Бренд: NXP Semiconductor

Дата загрузки	21.02.2024
Вес и габариты
вес, г	0.159
Высота	1.6 mm
Высота	1.6 мм
Информация о производителе

Все характеристики

160 ₽

– +

Бонус: 3.2 !

Бонусная программа

Итого: 160 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

ЭлектроэлементTRANSISTOR,PNP,1A,150V,SOT89; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-150V; Transition Frequency ft:115MHz; Power Dissipation Pd:520mW; DC Collector Current:-1A; DC Current Gain hFE:220hFE; Transistor Case Style:SOT-89; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018); Gain Bandwidth ft Typ:115MHz; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C

Дата загрузки	21.02.2024
Вес и габариты
вес, г	0.159
Высота	1.6 mm
Высота	1.6 мм
Информация о производителе
Производитель	NXP Semiconductor
Бренд	NXP Semiconductor
Основные
collector- base voltage vcbo	-200 V
collector- emitter voltage vceo max	-150 V
configuration	Single
continuous collector current	-1 A
длина	4.6 mm
другие названия товара №	9,34061E+11
emitter- base voltage vebo	-6 V
factory pack quantity	1000
gain bandwidth product ft	115 MHz
height	1.6 mm
категория	Электронные компоненты/Транзисторы
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
конфигурация	Single
квалификация	AEC-Q101
length	4.6 mm
максимальная рабочая температура	+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора	2 A
manufacturer	Nexperia
maximum collector base voltage	-200 V
maximum collector emitter voltage	150 V
maximum dc collector current	-2 A
maximum emitter base voltage	-6 V
maximum operating frequency	100 MHz
maximum operating temperature	+150 C
maximum power dissipation	1.5 W
минимальная рабочая температура	55 C
minimum dc current gain	100
minimum operating temperature	-55 C
mounting style	SMD/SMT
mounting type	Surface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)	6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)	200 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	150 V
непрерывный коллекторный ток	1 A
number of elements per chip	1
package / case	SOT-89-3
package type	SOT-89
packaging	Reel
партномер	8002982585
pd - power dissipation	1.5 W
pd - рассеивание мощности	1.5 W
pin count	3
подкатегория	Transistors
полярность транзистора	PNP
product category	Bipolar Transistors-BJT
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)	115 MHz
размер фабричной упаковки	1000
rohs	Details
технология	Si
тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка	Nexperia
transistor configuration	Single
transistor polarity	PNP
transistor type	PNP
упаковка / блок	SOT-89-3
вид монтажа	SMD/SMT
Время загрузки	1:21:51
Ширина	2.6 мм
width	2.6 mm

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

Теги:

NXP Semiconductor Транзисторы биполярные (BJTs)PBHV9115X