PBHV9115X,115, Bipolar Transistors - BJT PBHV9115X/SOT89/MPT3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: PBHV9115X,115
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Nexperia PBHV9115X,115, Bipolar Transistors - BJT ...
Nexperia B.V.
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.1305
Высота1.6 mm
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
140
+
Бонус: 2.8 !
Бонусная программа
Итого: 140
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT 150V 1A PNP HI VLTG LO VCESAT TRANSISTOR
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.1305
Высота1.6 mm
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
БрендNexperia B.V.
Основные
collector- base voltage vcbo-200 V
collector- emitter voltage vceo max-150 V
configurationSingle
continuous collector current-1 A
длина4.6 mm
другие названия товара №9,34061E+11
emitter- base voltage vebo-6 V
factory pack quantity1000
gain bandwidth product ft115 MHz
height1.6 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
конфигурацияSingle
квалификацияAEC-Q101
length4.6 mm
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора2 A
manufacturerNexperia
maximum collector base voltage-200 V
maximum collector emitter voltage150 V
maximum dc collector current-2 A
maximum emitter base voltage-6 V
maximum operating frequency100 MHz
maximum operating temperature+150 C
maximum power dissipation1.5 W
минимальная рабочая температура55 C
minimum dc current gain100
minimum operating temperature-55 C
mounting styleSMD/SMT
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)200 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.150 V
непрерывный коллекторный ток1 A
number of elements per chip1
package / caseSOT-89-3
package typeSOT-89
packagingReel
партномер8006400920
pd - power dissipation1.5 W
pd - рассеивание мощности1.5 W
pin count3
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
product categoryBipolar Transistors-BJT
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)115 MHz
размер фабричной упаковки1000
rohsDetails
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаNexperia
transistor configurationSingle
transistor polarityPNP
transistor typePNP
упаковка / блокSOT-89-3
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки22:59:42
Ширина2.6 мм
width2.6 mm
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль