PBHV9050T.215, Транзистор: PNP; биполярный; 500В; 0,15А; 300мВт; SOT23

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: PBHV9050T,215
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Nexperia PBHV9050T.215, Транзистор: PNP; биполярный ...
Nexperia B.V.
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.008
Высота1 mm
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
94
+
Бонус: 1.88 !
Бонусная программа
Итого: 94
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT TRANS PNP 500V 150MA
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.008
Высота1 mm
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
БрендNexperia B.V.
Основные
base product numberPBHV9050 ->
collector-emitter breakdown voltage500V
current - collector cutoff (max)100nA
current - collector (ic) (max)150mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce80 @ 50mA, 10V
длина3 mm
eccnEAR99
frequency - transition50MHz
htsus8541.21.0095
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.300
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)80
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора0.5 A
maximum collector base voltage-500 V
maximum collector emitter voltage500 V
maximum dc collector current150mA
maximum emitter base voltage-6 V
maximum operating temperature+150 °C
maximum power dissipation300 mW
минимальная рабочая температура55 C
minimum dc current gain100
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)500 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.500 V
непрерывный коллекторный ток0.15 A
number of elements per chip1
operating temperature150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
package typeSOT-23
партномер8007769193
pd - power dissipation300mW
pd - рассеивание мощности300 mW
pin count3
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
power - max300mW
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)50 MHz
размер фабричной упаковки3000
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
supplier device packageTO-236AB
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаNexperia
transistor configurationSingle
transistor typePNP
упаковка / блокSOT-23-3
vce saturation (max) @ ib, ic200mV @ 10mA, 50mA
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)500V
Время загрузки22:59:49
Ширина1.4 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль