PBHV8550XF

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) NXP PBHV8550XF
Дата загрузки21.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительNXP Semiconductor
БрендNXP Semiconductor
Основные
270
+
Бонус: 5.4 !
Бонусная программа
Итого: 270
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
ЭлектроэлементPBHV8550X - 500 V, 150 mA NPN high-voltage low VCEsat (BISS) transistor
Дата загрузки21.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительNXP Semiconductor
БрендNXP Semiconductor
Основные
частота перехода ft35МГц
collector emitter voltage max500В
continuous collector current150мА
dc current gain hfe min50hFE
dc усиление тока hfe50hFE
другие названия товара №9,34661E+11
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.100
количество выводов3вывод(-ов)
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)50
конфигурацияSingle
квалификацияAEC-Q101
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора150 mA
минимальная рабочая температура55 C
монтаж транзистораSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)500 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.500 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер90 mV
непрерывный коллекторный ток150 mA
партномер8009431921
pd - рассеивание мощности1.5 W
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power dissipation520мВт
размер фабричной упаковки4000
стиль корпуса транзистораSC-62
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаNexperia
упаковка / блокSOT-89-3
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки1:21:51
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль