Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы NPN SMDБиполярные транзисторы - BJT 150V 2A NPN HI VLTG LO VCESAT TRANSISTOR
Вес и габариты
collector-emitter breakdown voltage
150V
длина
6.7 mm
другие названия товара №
934063479115
Высота
1.7 мм
категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.
240
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
55
конфигурация
Single
квалификация
AEC-Q101
максимальная рабочая температура
+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора
4 A
maximum dc collector current
2A
минимальная рабочая температура
55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)
6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)
350 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.
150 V
непрерывный коллекторный ток
2 A
pd - power dissipation
1.45W
pd - рассеивание мощности
1.45 W
подкатегория
Transistors
полярность транзистора
NPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)
33 MHz
размер фабричной упаковки
1000
технология
Si
тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка
Nexperia
transistor type
NPN
упаковка / блок
SOT-223-3
вес, г
0.1
вид монтажа
SMD/SMT
Ширина
3.7 мм
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26