PBHV8215Z.115, Транзистор: NPN, биполярный, 150В, 2А, 730мВт, SOT223

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: PBHV8215Z,115
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы NPN SMDБиполярные транзисторы - BJT 150V 2A NPN HI VLTG LO VCESAT TRANSISTOR
Вес и габариты
collector-emitter breakdown voltage150V
длина6.7 mm
другие названия товара №934063479115
150
+
Бонус: 3 !
Бонусная программа
Итого: 150
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы NPN SMDБиполярные транзисторы - BJT 150V 2A NPN HI VLTG LO VCESAT TRANSISTOR
Вес и габариты
collector-emitter breakdown voltage150V
длина6.7 mm
другие названия товара №934063479115
Высота 1.7 мм
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.240
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)55
конфигурацияSingle
квалификацияAEC-Q101
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора4 A
maximum dc collector current2A
минимальная рабочая температура55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)350 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.150 V
непрерывный коллекторный ток2 A
pd - power dissipation1.45W
pd - рассеивание мощности1.45 W
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)33 MHz
размер фабричной упаковки1000
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаNexperia
transistor typeNPN
упаковка / блокSOT-223-3
вес, г0.1
вид монтажаSMD/SMT
Ширина3.7 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль