PBHV8215Z,115, 150V 1.45W 100@1A,10V 2A NPN SOT2234 Bipolar Transistors BJT ROHS

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: PBHV8215Z,115
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Nexperia PBHV8215Z,115, 150V 1.45W 100@1A,10V 2A NPN ...
Nexperia B.V.
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Высота1.7 mm
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
95
+
Бонус: 1.9 !
Бонусная программа
Итого: 95
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJTБиполярные транзисторы - BJT 150V 2A NPN HI VLTG LO VCESAT TRANSISTOR
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Высота1.7 mm
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
БрендNexperia B.V.
Основные
collector-emitter breakdown voltage150V
длина6.7 mm
другие названия товара №9,34063E+11
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.240
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)55
конфигурацияSingle
квалификацияAEC-Q101
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора4 A
maximum dc collector current2A
минимальная рабочая температура55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)350 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.150 V
непрерывный коллекторный ток2 A
партномер8003790960
pd - power dissipation1.45W
pd - рассеивание мощности1.45 W
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)33 MHz
размер фабричной упаковки1000
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаNexperia
transistor typeNPN
упаковка / блокSOT-223-3
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки22:59:34
Ширина3.7 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль