PBHV8115Z,115, Биполярный транзистор, NPN, 150 В, 1 А, 700 мВт, SOT-223, Surface Mount

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: PBHV8115Z,115
Биполярные транзисторы - BJT TRANS HV BISS TAPE-7
Вес и габариты
base product numberPBHV8115 ->
collector- base voltage vcbo400 V
collector-emitter saturation voltage225 mV
120
+
Бонус: 2.4 !
Бонусная программа
Итого: 120
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT TRANS HV BISS TAPE-7
Вес и габариты
base product numberPBHV8115 ->
collector- base voltage vcbo400 V
collector-emitter saturation voltage225 mV
collector- emitter voltage vceo max150 V
configurationSingle
continuous collector current1 A
current - collector cutoff (max)100nA
current - collector (ic) (max)1A
dc current gain hfe max100 at 50 mA, 10 V
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce50 @ 500mA, 10V
длина6.7 mm
другие названия товара №934061411115
eccnEAR99
emitter- base voltage vebo6 V
factory pack quantity1000
frequency - transition30MHz
gain bandwidth product ft30 MHz
Высота 1.7 мм
height1.7 mm
htsus8541.29.0075
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.100 at 50 mA, 10 V
конфигурацияSingle
квалификацияAEC-Q101
length6.7 mm
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора1 A
manufacturerNexperia
maximum dc collector current1 A
maximum operating temperature+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
minimum operating temperature- 55 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting styleSMD/SMT
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)400 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.150 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер225 mV
непрерывный коллекторный ток1 A
operating temperature150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-261-4, TO-261AA
packagingCut Tape or Reel
part # aliasesPBHV8115Z T/R
pd - power dissipation700 mW
pd - рассеивание мощности700 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power - max1.4W
product categoryBipolar Transistors - BJT
product typeBJTs - Bipolar Transistors
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)30 MHz
qualificationAEC-Q101
размер фабричной упаковки1000
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
subcategoryTransistors
supplier device packageSOT-223
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаNexperia
transistor polarityNPN
transistor typeNPN
unit weight0.035274 oz
упаковка / блокSC-73-3
vce saturation (max) @ ib, ic350mV @ 200mA, 1A
вес, г0.124
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)150V
Ширина3.7 мм
width3.7 mm
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль