Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT 150V 1A NPN high vltg low VCEsat tran

Подробное описание

Вес и габариты
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
конфигурация	Single
максимальная рабочая температура	+ 150 C

Все характеристики

120 ₽

– +

Бонус: 2.4 !

Бонусная программа

Итого: 120 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Вес и габариты
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
конфигурация	Single
максимальная рабочая температура	+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора	2 A
минимальная рабочая температура	55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)	6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)	400 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	150 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	33 mV
непрерывный коллекторный ток	400 mA
pd - рассеивание мощности	520 mW
подкатегория	Transistors
полярность транзистора	NPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)	30 MHz
размер фабричной упаковки	1000
тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка	Nexperia
упаковка / блок	SOT-89-3
вес, г	0.04
вид монтажа	SMD/SMT

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

PBHV8115X,115