NZT660A

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor NZT660A
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.188
Высота1.6 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
180
+
Бонус: 3.6 !
Бонусная программа
Итого: 180
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
ЭлектроэлементTRANSISTOR, BIPOL, PNP, -60V, SOT-223-3; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-60V; Transition Frequency ft:75MHz; Power Dissipation Pd:2W; DC Collector Current:-3A; DC Current Gain hFE:25hFE; Transistor Case Style:SOT-223; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.188
Высота1.6 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
collector- base voltage vcbo60 V
collector-emitter saturation voltage500 mV
collector- emitter voltage vceo max60 V
configurationSingle
continuous collector current3 A
dc collector/base gain hfe min250
dc current gain hfe max550
длина6.5 mm
другие названия товара №NZT660A_NL
emitter- base voltage vebo5 V
factory pack quantity4000
gain bandwidth product ft75 MHz
height1.6 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.550
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)250
конфигурацияSingle
length6.5 mm
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора3 A
manufacturerON Semiconductor
maximum dc collector current3 A
maximum operating temperature+150 C
минимальная рабочая температура55 C
minimum operating temperature-55 C
mounting styleSMD/SMT
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)60 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.60 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер500 mV
непрерывный коллекторный ток3 A
package / caseSOT-223-4
packagingReel
партномер8004105928
part # aliasesNZT660A_NL
pd - power dissipation2 W
pd - рассеивание мощности2 W
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
product categoryBipolar Transistors-BJT
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)75 MHz
размер фабричной упаковки4000
rohsDetails
seriesNZT660A
серияNZT660A
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
transistor polarityPNP
unit weight0.006632 oz
упаковка / блокSOT-223-4
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки2:01:53
Ширина3.56 мм
width3.56 mm
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль