NXP3875YR

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT 51V 150 mA NPN gnrl purpose transistors
Вес и габариты
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.240
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)200
71
+
Бонус: 1.42 !
Бонусная программа
Итого: 71
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT 51V 150 mA NPN gnrl purpose transistors
Вес и габариты
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.240
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)200
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора150 mA
минимальная рабочая температура65 C
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)60 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.50 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер250 mV
непрерывный коллекторный ток200 mA
pd - рассеивание мощности200 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)80 MHz
размер фабричной упаковки3000
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаNexperia
упаковка / блокTO-236AB-3
вид монтажаSMD/SMT
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль