NSVT45010MW6T1G, Bipolar Transistors - BJT DUAL MATCHED PNP XSTR 45V

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: NSVT45010MW6T1G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor NSVT45010MW6T1G, Bipolar Transistors - BJT ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.0075
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
140
+
Бонус: 2.8 !
Бонусная программа
Итого: 140
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT DUAL MATCHED PNP XSTR 45V
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.0075
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.475 at - 2 mA at - 5 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)220 at - 2 mA at - 5 V
конфигурацияDual
квалификацияAEC-Q101
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора100 mA
минимальная рабочая температура55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)50 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.45 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер300 mV
партномер8005375314
pd - рассеивание мощности380 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)100 MHz
размер фабричной упаковки3000
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаON Semiconductor
упаковка / блокSOT-363-6
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки2:10:50
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль