NSVT3906DXV6T1G, Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR PNP 40V (NSVT3906DXV6T1G) — купить

Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor NSVT3906DXV6T1G, Bipolar Transistors - BJT SS ...

Подробное описание

150 ₽

- +

Бонус: 3 !

Бонусная программа

Итого: 150 ₽

Купить

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Дата загрузки	20.02.2024
Вес и габариты
вес, г	0.01
Информация о производителе
Производитель	ON Semiconductor***
Бренд	ON Semiconductor***
Основные
collector- base voltage vcbo:	40 V
collector-emitter saturation voltage:	400 mV
collector- emitter voltage vceo max:	40 V
configuration:	Dual
emitter- base voltage vebo:	5 V
factory pack quantity: factory pack quantity:	4000
gain bandwidth product ft:	250 MHz
категория	Электронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:	onsemi
maximum dc collector current:	200 mA
maximum operating temperature:	+150 C
minimum operating temperature:	-55 C
mounting style:	SMD/SMT
партномер	8004652374
pd - power dissipation:	500 mW
product category:	Bipolar Transistors-BJT
product type:	BJTs-Bipolar Transistors
qualification:	AEC-Q101
subcategory:	Transistors
technology:	Si
transistor polarity:	PNP
Время загрузки	2:10:51

0.0

общая оценка

Всего 0 отзывов

0 отзывов

Отзывов нет

Кнопки

Теги: