NSVT3906DXV6T1G, Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR PNP 40V

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: NSVT3906DXV6T1G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor NSVT3906DXV6T1G, Bipolar Transistors - BJT SS ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.01
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
150
+
Бонус: 3 !
Бонусная программа
Итого: 150
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.01
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
collector- base voltage vcbo:40 V
collector-emitter saturation voltage:400 mV
collector- emitter voltage vceo max:40 V
configuration:Dual
emitter- base voltage vebo:5 V
factory pack quantity: factory pack quantity:4000
gain bandwidth product ft:250 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:onsemi
maximum dc collector current:200 mA
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
партномер8004652374
pd - power dissipation:500 mW
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
qualification:AEC-Q101
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:PNP
Время загрузки2:10:51
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль