NSVMUN5212DW1T1G

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor NSVMUN5212DW1T1G
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
130
+
Бонус: 2.6 !
Бонусная программа
Итого: 130
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения SS BR XSTR NPN 50V
Дата загрузки20.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
aec qualified numberAEC-Q101
automotiveYes
configurationDual
eccn (us)EAR99
eu rohsCompliant
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - С предварительно заданным
квалификацияAEC-Q101
lead shapeGull-wing
maximum collector-emitter saturation voltage (v)0.25@0.3mA@10mA
maximum collector-emitter voltage (v)50
maximum continuous dc collector current (ma)100
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation (mw)385
militaryNo
minimum dc current gain60@5mA@10V
minimum operating temperature (°c)-55
mountingSurface Mount
package height0.9
package length2
package width1.25
packagingTape and Reel
партномер8008461535
part statusActive
pcb changed6
pin count6
подкатегорияTransistors
размер фабричной упаковки3000
серияMUN5212DW1
standard package nameSC
supplier packageSC-88
supplier temperature gradeAutomotive
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
торговая маркаON Semiconductor
typeNPN
typical input resistor (kohm)22
typical resistor ratio1
Время загрузки2:10:02
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль