NSVMMUN2212LT1G, Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: NSVMMUN2212LT1G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor NSVMMUN2212LT1G, Bipolar Transistors - ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.01
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
94
+
Бонус: 1.88 !
Бонусная программа
Итого: 94
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - Pre-Biased
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.01
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
continuous collector current100мА
dc current gain hfe min60hFE
factory pack quantity: factory pack quantity:3000
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
количество выводов3 Вывода
корпус рч транзистораSOT-23
квалификацияAEC-Q101
максимальная рабочая температура150°C
manufacturer:onsemi
монтаж транзистораSurface Mount
mounting style:SMD/SMT
напряжение коллектор-эмиттер50В
непрерывный коллекторный ток ic100мА
package/case:SOT-23-3
партномер8005547410
полярность транзистораSingle NPN
полярность цифрового транзистораОдиночный NPN
power dissipation400мВт
product category:Bipolar Transistors-Pre-Biased
product type:BJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased
qualification:AEC-Q101
резистор база-эмиттер r222кОм
резистор на входе базы r122кОм
series:MMUN2212L
соотношение сопротивления, r1 / r21соотношение
стандарты автомобильной промышленностиAEC-Q101
стиль корпуса транзистораSOT-23
subcategory:Transistors
Время загрузки1:30:03
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль