NSVMMUN2136LT1G, Bipolar Transistors - Pre-Biased SS SOT23 PNP DIGITA L TRAN
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:NSVMMUN2136LT1G
Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT SS SOT23 PNP DIGITA L TRAN
Дата загрузки
20.02.2024
Вес и габариты
вес, г
1
Информация о производителе
Производитель
ON Semiconductor***
Бренд
ON Semiconductor***
Основные
категория
Электронные компоненты/Транзисторы
категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
80
конфигурация
Single
максимальная рабочая температура
+ 150 C
минимальная рабочая температура
55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)
6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)
50 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.
50 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0.25 V
непрерывный коллекторный ток
100 mA
партномер
8005375270
pd - рассеивание мощности
246 mW
подкатегория
Transistors
полярность транзистора
PNP
размер фабричной упаковки
3000
тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка
ON Semiconductor
упаковка
Reel, Cut Tape
упаковка / блок
SOT-23-3
вид монтажа
SMD/SMT
Время загрузки
1:30:03
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26