Name: NSVMMBT6520LT1G, Bipolar Transistors - BJT High Voltage PNP Bipolar Transistor
Brand: ON Semiconductor***
SKU: NSVMMBT6520LT1G

Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor NSVMMBT6520LT1G, Bipolar Transistors - BJT ...

Подробное описание

140 ₽

– +

Бонус: 2.8 !

Бонусная программа

Итого: 140 ₽

Купить

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Дата загрузки	20.02.2024
Вес и габариты
вес, г	0.01
Информация о производителе
Производитель	ON Semiconductor***
Бренд	ON Semiconductor***
Основные
collector- base voltage vcbo:	350 V
collector-emitter saturation voltage:	500 mV
collector- emitter voltage vceo max:	350 V
configuration:	Single
dc collector/base gain hfe min:	30
dc current gain hfe max:	200
emitter- base voltage vebo:	5 V
factory pack quantity: factory pack quantity:	3000
gain bandwidth product ft:	40 MHz
категория	Электронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:	onsemi
maximum dc collector current:	500 mA
maximum operating temperature:	+150 C
minimum operating temperature:	-55 C
mounting style:	SMD/SMT
package/case:	SOT-23-3
партномер	8006361758
pd - power dissipation:	225 mW
product category:	Bipolar Transistors-BJT
product type:	BJTs-Bipolar Transistors
qualification:	AEC-Q101
series:	MMBT6520L
subcategory:	Transistors
technology:	Si
transistor polarity:	PNP
Время загрузки	2:12:23

Отзывов нет

Кнопки

Теги: