NSVMMBT6429LT1G, 10nA 45V 225mW 500@100uA,5V 200mA 100MHz 600mV@100mA,5mA NPN -55°C~+150°C@(Tj) SOT-23 BIpolar TransIstors - BJT ROHS

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: NSVMMBT6429LT1G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor NSVMMBT6429LT1G, 10nA 45V 225mW 500@100uA,5V ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.07
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
24
+
Бонус: 0.48 !
Бонусная программа
Итого: 24
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.07
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
collector- base voltage vcbo55 V
collector-emitter saturation voltage200 mV
collector- emitter voltage vceo max45 V
configurationSingle
dc collector/base gain hfe min500 at 100 uA, 5 VDC
dc current gain hfe max1250 at 100 uA, 5 VDC
emitter- base voltage vebo6 V
factory pack quantity3000
gain bandwidth product ft700 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturerON Semiconductor
maximum dc collector current200 mA
maximum operating temperature+150 C
minimum operating temperature-55 C
mounting styleSMD/SMT
package / caseSOT-23-3
packagingCut Tape or Reel
партномер8017626203
pd - power dissipation225 mW
product categoryBipolar Transistors-BJT
product typeBJTs-Bipolar Transistors
qualificationAEC-Q101
seriesMMBT6429L
subcategoryTransistors
technologySi
transistor polarityNPN
Время загрузки0:15:37
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль