NSVMMBT5087LT1G, 50V 225mW 250@100uA,5V 50mA PNP SOT233 Bipolar Transistors BJT ROHS

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: NSVMMBT5087LT1G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor NSVMMBT5087LT1G, 50V 225mW 250@100uA,5V 50mA ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
25
+
Бонус: 0.5 !
Бонусная программа
Итого: 25
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT SS SOT23 LN XSTR PNP 50V
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.800 at - 100 uA at - 5 VDC
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)250 at - 100 uA at - 5 VDC
конфигурацияSingle
квалификацияAEC-Q101
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора50 mA
минимальная рабочая температура55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)3 V
напряжение коллектор-база (vcbo)50 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.50 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер300 mV
партномер8010732325
pd - рассеивание мощности225 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)40 MHz
размер фабричной упаковки3000
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаON Semiconductor
упаковка / блокSOT-23-3
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки0:15:39
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль