NSVF4020SG4T1G, Trans RF BJT NPN 8V 0.15A 400mW Automotive AEC-Q101 4-Pin MCPH T/R
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: NSVF4020SG4T1G
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Diodes, Transistors and Thyristors\Bipolar Transistors\RF BJTTrans RF BJT NPN 8V 0.15A 400mW Automotive AEC-Q101 4-Pin MCPH T/R
Дата загрузки | 20.02.2024 |
Вес и габариты | |
вес, г | 1 |
Информация о производителе | |
Производитель | ON Semiconductor*** |
Бренд | ON Semiconductor*** |
Основные | |
automotive | Yes |
частота перехода ft | 16ГГц |
collector emitter voltage max | 8В |
collector- emitter voltage vceo max: | 8 V |
configuration | Single Dual Emitter |
configuration: | Single |
continuous collector current | 150мА |
continuous collector current: | 150 mA |
dc collector/base gain hfe min: | 60 |
dc current gain hfe min | 60hFE |
dc ток коллектора | 150мА |
dc усиление тока hfe | 60hFE |
eccn (us) | EAR99 |
emitter- base voltage vebo: | 2 V |
eu rohs | Compliant |
factory pack quantity: factory pack quantity: | 3000 |
категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
количество выводов | 4вывод(-ов) |
корпус рч транзистора | SC-82FL |
квалификация | AEC-Q101 |
максимальная рабочая температура | 150 C |
manufacturer: | onsemi |
maximum collector base voltage (v) | 15 |
maximum collector cut-off current (na) | 1000 |
maximum collector-emitter voltage range (v) | <20 |
maximum collector-emitter voltage (v) | 8 |
maximum dc collector current: | 150 mA |
maximum dc collector current (a) | 0.15 |
maximum dc collector current range (a) | 0.12 to 0.5 |
maximum emitter base voltage (v) | 2 |
maximum emitter cut-off current (na) | 1000 |
maximum noise figure (db) | 01.08.2024 |
maximum operating temperature: | +150 C |
maximum operating temperature (°c) | 150 |
maximum power dissipation (mw) | 400 |
maximum transition frequency (mhz) | 16000(Typ) |
minimum dc current gain | 60@50mA@5V |
minimum dc current gain range | 50 to 120 |
minimum operating temperature: | -55 C |
minimum operating temperature (°c) | -55 |
монтаж транзистора | Surface Mount |
mounting | Surface Mount |
mounting style: | SMD/SMT |
напряжение коллектор-эмиттер | 8В |
number of elements per chip | 1 |
operating frequency: | 16 GHz |
operational bias conditions | 5V/50mA |
package / case: | SC-82FL-4 |
packaging | Tape and Reel |
packaging: | Reel, Cut Tape |
партномер | 8002296877 |
part status | Active |
pcb changed | 4 |
pd - power dissipation: | 400 mW |
pin count | 4 |
полярность транзистора | NPN |
power dissipation | 400мВт |
ppap | Yes |
product category: | RF Bipolar Transistors |
product type: | RF Bipolar Transistors |
qualification: | AEC-Q101 |
рассеиваемая мощность | 400мВт |
стандарты автомобильной промышленности | AEC-Q101 |
стиль корпуса транзистора | SC-82FL |
subcategory: | Transistors |
supplier package | MCPH |
supplier temperature grade | Automotive |
technology: | Si |
transistor polarity: | NPN |
transistor type: | Bipolar |
type | NPN |
уровень чувствительности к влажности (msl) | MSL 1-Безлимитный |
Время загрузки | 1:32:05 |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26