NSVF4017SG4T1G, RF Bipolar Transistors BIP NPN 100MA 12V FT=10G

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: NSVF4017SG4T1G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor NSVF4017SG4T1G, RF Bipolar Transistors BIP ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
190
+
Бонус: 3.8 !
Бонусная программа
Итого: 190
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
частота перехода ft10ГГц
collector emitter voltage max12В
continuous collector current100мА
dc current gain hfe min150hFE
dc ток коллектора100мА
dc усиление тока hfe150hFE
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
количество выводов4вывод(-ов)
корпус рч транзистораSC-82FL
квалификацияAEC-Q101
максимальная рабочая температура150°C
монтаж транзистораSurface Mount
напряжение коллектор-эмиттер12В
партномер8005375246
полярность транзистораNPN
power dissipation450мВт
рассеиваемая мощность450мВт
стандарты автомобильной промышленностиAEC-Q101
стиль корпуса транзистораSC-82FL
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
Время загрузки0:47:36
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль