NSVEMX1DXV6T1G, Bipolar Transistors - BJT Dual NPN Bipolar Transistor

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: NSVEMX1DXV6T1G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor NSVEMX1DXV6T1G, Bipolar Transistors - BJT ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.003
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
120
+
Бонус: 2.4 !
Бонусная программа
Итого: 120
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT SS DUAL NPN GEN PURP TSTR
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.003
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)120
квалификацияAEC-Q101
напряжение эмиттер-база (vebo)7 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.50 V
непрерывный коллекторный ток100 mA
партномер8005375242
pd - рассеивание мощности357 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
размер фабричной упаковки4000
серияEMX1
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаON Semiconductor
упаковка / блокSOT-563-6
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки2:09:53
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль