Name: NSVBCP56-10T3G, 80V 1.5W 63@150mA,2V 1A NPN SOT2233 Bipolar Transistors BJT ROHS
Brand: ON Semiconductor***
SKU: NSVBCP56-10T3G

Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor NSVBCP56-10T3G, 80V 1.5W 63@150mA,2V 1A NPN ...

Подробное описание

50 ₽

– +

Бонус: 1 !

Бонусная программа

Итого: 50 ₽

Купить

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Дата загрузки	20.02.2024
Вес и габариты
вес, г	1
Информация о производителе
Производитель	ON Semiconductor***
Бренд	ON Semiconductor***
Основные
collector- base voltage vcbo	100 V
collector-emitter saturation voltage	500 mV
collector- emitter voltage vceo max	80 V
configuration	Single
dc collector/base gain hfe min	63 at 150 mA, 2 V
dc current gain hfe max	160 at 150 mA, 2 V
emitter- base voltage vebo	5 V
factory pack quantity	4000
gain bandwidth product ft	130 MHz
категория	Электронные компоненты/Транзисторы
manufacturer	ON Semiconductor
maximum dc collector current	1 A
maximum operating temperature	+150 C
minimum operating temperature	-65 C
mounting style	SMD/SMT
package / case	SOT-223-4
packaging	Cut Tape or Reel
партномер	8017360818
pd - power dissipation	1.5 W
product category	Bipolar Transistors-BJT
product type	BJTs-Bipolar Transistors
qualification	AEC-Q101
subcategory	Transistors
technology	Si
transistor polarity	NPN
Время загрузки	1:32:08

Отзывов нет

Кнопки

Теги: